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原子启智申请等离子体处理设备及其衬底处理区域离子浓度调控方法专利, 有效抑制离子向衬底的扩散

发布日期:2026-07-13 15:14:08 点击次数:59

国家知识产权局信息显示,上海原子启智半导体设备有限公司申请一项名为“等离子体处理设备及其衬底处理区域离子浓度调控方法”的专利,公开号CN122314745A,申请日期为2026年6月。

专利摘要显示,本申请涉及半导体技术领域,具体而言,涉及等离子体处理设备及其衬底处理区域离子浓度调控方法,解决了现有技术中因采用远程等离子体源或离子过滤栅格导致工艺气体切换时间长、进排气效率低的技术问题。本申请通过在工艺腔室内衬底处理区域外设置第一导电结构,通过控制第一导电结构的状态,例如处于负电位或者使第一导电结构浮地、处于正电位或者接地,以使得工艺腔室运行于基于自由基的第一工艺时,第一导电结构带负电可实现自由基与离子的精准分离;有效抑制离子向衬底的扩散,同时无需设置RPS或离子过滤栅格,提高进排气效率,助于提高产能。

天眼查资料显示,上海原子启智半导体设备有限公司,成立于2025年,位于上海市,是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本1493.1645万人民币。通过天眼查大数据分析,上海原子启智半导体设备有限公司专利信息16条,此外企业还拥有行政许可7个。

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